快恢復二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片.由于基區(qū)很薄,反向恢復電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓.快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏.超快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒。如果測的快恢復二極管正向壓降反常偏大，可能是買到PN結(jié)構(gòu)的二極管了。電路溫度與快恢復二極管正向壓降的關(guān)系

正向壓降偏高是導致快恢復二極管應用電路發(fā)熱的常見原因。

PIN結(jié)相對于PN結(jié)有更快的恢復時間，N型外延內(nèi)的載流子會比傳統(tǒng)PN結(jié)器件消失得更快，即可形成低正向?qū)▔航岛涂礻P(guān)斷時間的半導體器件。固定摻雜濃度的FRD器件,由于晶格散射對載流子遷移率起主導作用,正向壓降呈正溫度系數(shù)特性。壓降偏高是導致快恢復二極管應用電路常見發(fā)熱原因之一。快恢復二極管不同于整流橋產(chǎn)品，隨著耐壓的漸高，快恢復本身的壓降會有明顯升高。一般200V耐壓快恢復二極管正向壓降是1.05V,而400V耐壓的快恢復正向壓降就能提升到1.5V左右，壓降放大之后功耗就會加大，自然的就會引起溫度的升高。所以在選擇快恢復二極管參數(shù)時，一定要精準計算電路參數(shù)情況，以便于能更加合理的選擇快恢復耐壓的參數(shù)。