JFET與MOSFET工作原理圖

MOSFET與JFET

1. JFET只能在耗盡模式下工作， 而MOSFET可以在耗盡或增強(qiáng)模式下工作。在JFET中，如果柵極正向偏置，則發(fā)生過(guò)量載流子禁令并且柵極電流很大。因此，由于過(guò)量的載流子，信道電導(dǎo)在某種程度上得到增強(qiáng)，但是由于柵極電流是不希望的，所以器件從不以柵極正向偏置操作。

2. MOSFET的輸入阻抗遠(yuǎn)高于JFET的輸入阻抗。這是由于可忽略不計(jì)的小泄漏電流。

3. JFET的特性曲線比MOSFET特性曲線更平坦，表明更高的漏極電阻。

4. 當(dāng)JFET在結(jié)上以反向偏壓操作時(shí)，柵極電流I G 大于其在類(lèi)似MOSFET中的電流。通過(guò)反向偏置結(jié)的少數(shù)載流子提取引起的電流每單位面積大于MOSFET中的氧化物層所支持的漏電流。因此，MOSFET器件在靜電計(jì)應(yīng)用中比JFET更有用。

由于上述原因，并且因?yàn)镸OSFET稍微更容易制造，所以它們比JFET更廣泛地使用

如何保護(hù)mosfet設(shè)備

MOSFET需要非常小心地處理，特別是在斷電時(shí)。在電路中，MOSFET與任何其他類(lèi)似結(jié)構(gòu)和尺寸的固態(tài)器件一樣堅(jiān)固耐用。

MOSFET在溝道和柵極之間具有超薄二氧化硅層。因?yàn)榻^緣層很薄，所以很容易被過(guò)多的柵源電壓V GS破壞。在施加大的柵極電壓時(shí)，開(kāi)路柵極可以累積足夠的電荷，以便產(chǎn)生足夠大的電場(chǎng)以刺穿薄的SiO 2層。

除了直接施加過(guò)大的柵極 - 源極電壓V GS之外 ，薄的SiO 2層可能以更微妙的方式被破壞。如果在電源接通時(shí)插入或從電路中移除MOSFET，則由感應(yīng)反沖和其他影響引起的瞬態(tài)電壓可能超過(guò)V Gg / max 額定值。這將消滅MOSFET。即使拾取MOSFET也可能會(huì)產(chǎn)生足夠的靜電電荷，超過(guò) V GS （最大值）評(píng)分。通常，接地環(huán)用于短接MOSFET的所有引線，以避免柵極和源極之間產(chǎn)生任何電壓。在MOSFET連接到電路中后，接地或短路環(huán)被移除。有時(shí)在引線之間施加導(dǎo)電泡沫。一些MOSFET受到內(nèi)置齊納二極管的保護(hù)，與柵極和源極并聯(lián)，如圖所示。在正常工作電壓下，齊納二極管保持開(kāi)路，不會(huì)影響電路的工作。在V GS極高的情況下，齊納二極管擊穿，從而將柵極電位限制為等于齊納二極管擊穿電壓的值，遠(yuǎn)小于V GS max 額定值。這些內(nèi)部齊納二極管的缺點(diǎn)是MOSFET的高輸入阻抗降低了嗎？在某些應(yīng)用中，交易是值得的，因?yàn)榘嘿F的MOSFET在沒(méi)有齊納保護(hù)的情況下很容易被破壞。

Mosfet保護(hù)電路

保護(hù)Mosfet設(shè)備的注意事項(xiàng)：

MOSFET是精密設(shè)備，很容易被破壞。所以他們要小心處理。此外，在電源打開(kāi)時(shí)，切勿連接或斷開(kāi)它們。最后，在拿起MOSFET器件之前，觸摸您正在使用的設(shè)備的底座，讓您的身體接地。