熱插拔技術(shù)是服務(wù)器、交換機(jī)中的基礎(chǔ)技術(shù)，可實現(xiàn)在在線情況下更換故障硬件、添加新設(shè)備，極大地方便了服務(wù)器系統(tǒng)的維護(hù)。目前，服務(wù)器中可熱插拔的包括硬盤、CPU、內(nèi)存、電源、風(fēng)扇、PCI適配器、網(wǎng)卡等。
熱插拔技術(shù)的原理，在于控制瞬間高電流，將其降低到某一合理水平。實現(xiàn)這一目標(biāo)的方法很多，最簡單的是通過正溫度系數(shù)熱敏電阻（PTC）穩(wěn)定瞬間電流，但是這種方法反應(yīng)速度慢，長時間使用的話還會影響使用壽命。此外，通過MOS管電流檢測電阻，加上一些簡單的電阻、電容、延遲線路也能實現(xiàn)，而且成本低，適用于低端用途。
線性模式MOSFET：PSMN3R7-100BSE
目前，最好的方法是是采用專門的熱插拔芯片，這些MOSFET針對安全操作區(qū)(SOA)進(jìn)行了優(yōu)化，導(dǎo)通電阻RDS(on)較低，功耗特別小。例如，Nexperia公司的PSMN3R7-100BSE就是一款非常適用于熱插拔、軟啟動和電子熔斷器應(yīng)用的線性模式MOSFET。
PSMN3R7-100BSE是NextPower Live系列的最新產(chǎn)品，其優(yōu)越的安全操作區(qū)(SOA)和較低RDS(on)特性非常適合熱插拔應(yīng)用。通過有效處理交換服務(wù)器主機(jī)板或其他插拔式系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的高浪涌電流，MOSFET可有效確保順利啟動處理器板。
在標(biāo)準(zhǔn)MOSFET技術(shù)基礎(chǔ)上，PSMN3R7-100BSE MOSFET的安全操作區(qū)更大，線性性能也提高了4倍，結(jié)溫為175攝氏度，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為3.95m?（典型值為3.36m?）——比以前的器件內(nèi)阻約低18%。
外形上，N溝道PSMN3R7-100BSE MOSFET采用D2PAK封裝，與所有其他制造商的熱交換控制器完全兼容，可為服務(wù)器和通信基礎(chǔ)設(shè)施公司提高功率水平和能源效率。
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