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  • MOS管功率損耗如何測試-功率MOS管的幾大損壞模式分析
    • 發(fā)布時間:2020-06-08 18:15:45
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    MOS管功率損耗如何測試-功率MOS管的幾大損壞模式分析
    功率MOS管簡介
    功率MOS管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
    功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅動負載,帶載能力要強。功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。
    功率MOS管的幾大損壞模式
    (一)雪崩破壞
    如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
    在介質負載的開關運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。
    典型電路:
    功率損耗,MOS管
    (二)器件發(fā)熱損壞
    由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。
    直流功率原因:外加直流功率而導致的損耗引起的發(fā)熱
    1、導通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大,導致一定電流下,功耗增加)
    2、由漏電流IDSS引起的損耗(和其他損耗相比極小)。瞬態(tài)功率原因:外加單觸發(fā)脈沖
    3、負載短路
    4、開關損耗(接通、斷開) *(與溫度和工作頻率是相關的)
    5、內置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關的)
    器件正常運行時不發(fā)生的負載短路等引起的過電流,造成瞬時局部發(fā)熱而導致破壞。另外,由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時,持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導致熱擊穿的破壞。
    功率損耗,MOS管
    (三)內置二極管破壞
    在DS端間構成的寄生二極管運行時,由于在Flyback時功率MOSFET的寄生雙極晶體管運行,導致此二極管破壞的模式。
    功率損耗,MOS管
    (四)由寄生振蕩導致的破壞
    此破壞方式在并聯(lián)時尤其容易發(fā)生
    在并聯(lián)功率MOS FET時未插入柵極電阻而直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復接通、斷開漏極-源極電壓時,在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。
    當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時,在柵極-源極間外加遠遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓,由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞,或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋,因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。
    功率損耗,MOS管
    (五)柵極電涌、靜電破壞
    主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設備的帶電)而導致的柵極破壞。
    功率損耗,MOS管
    MOS管功率損耗怎么測?
    MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索,那么該如何量化評估呢?
    功率損耗的原理圖和實測圖
    一般來說,開關管工作的功率損耗原理圖如圖 1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關閉過程”,小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”,而關閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計。
    功率損耗,MOS管
    開關管工作的功率損耗原理圖
    實際的測量波形圖一般如下圖
    功率損耗,MOS管
    開關管實際功率損耗測試
    MOSFET和PFC MOSFET的測試區(qū)別
    對于普通MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形幾乎完全相同,因此整體功率損耗只需要任意測量一個周期即可。但對于PFC MOS管來說,不同周期的電壓和電流波形都不相同,因此功率損耗的準確評估依賴較長時間(一般大于10ms),較高采樣率(推薦1G采樣率)的波形捕獲,此時需要的存儲深度推薦在10M以上,并且要求所有原始數(shù)據(jù)(不能抽樣)都要參與功率損耗計算,實測截圖如下圖所示。
    功率損耗,MOS管
    PFC MOSFET功率損耗實測圖
    開關損耗測試對于器件評估非常關鍵,通過示波器的電源分析軟件,可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估。
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