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  • 細(xì)說MOS管知識-MOS管高端驅(qū)動與低端驅(qū)動解析和原理及區(qū)別
    • 發(fā)布時間:2020-09-10 18:28:15
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    細(xì)說MOS管知識-MOS管高端驅(qū)動與低端驅(qū)動解析和原理及區(qū)別
    高端驅(qū)動和低端驅(qū)動的原理及區(qū)別詳解
    詳解MOS管的高端驅(qū)動和低端驅(qū)動,我們先來看看什么是高端驅(qū)動、什么是低端驅(qū)動。
    高端驅(qū)動:
    高端功率開關(guān)驅(qū)動的原理非常簡單,和低端功率開關(guān)驅(qū)動相對應(yīng),就是負(fù)載一端和開關(guān)管相連,另外一端直接接地。正常情況下,沒有控制信號的時候,開關(guān)管不導(dǎo)通,負(fù)載中沒有電流流過,即負(fù)載處于斷電狀態(tài);
    反之,如果控制信號有效的時候,打開開關(guān)管,于是電流從電源正端經(jīng)過高端的開關(guān)管,然后經(jīng)過負(fù)載流出,負(fù)載進入通電狀態(tài),從而產(chǎn)生響應(yīng)的動作?;镜尿?qū)動原理圖如圖所示。
    MOS管,高端驅(qū)動,低端驅(qū)動,PMOS
    一般現(xiàn)在采用的開關(guān)功率管為N型MOSFET,N型MOSFET的優(yōu)點是驅(qū)動采用電壓驅(qū)動,驅(qū)動電流很小,驅(qū)動功耗低,而且工作頻率可以很高,適用于高速控制,另外MOSFET的導(dǎo)通內(nèi)阻很低,在毫歐級別,可以通過的穩(wěn)定電流很大,因此適用于高功率的驅(qū)動。P型的MOSFET相對于同樣的硅片面積,導(dǎo)通內(nèi)阻較大,開關(guān)速度也比較慢,故N型MOSFET使用較多。
    低端驅(qū)動:
    低端功率開關(guān)驅(qū)動的原理非常簡單,就是負(fù)載一端直接和電源正端相連,另外一端直接和開關(guān)管相連,正常情況下,沒有控制信號的時候,開關(guān)管不導(dǎo)通,負(fù)載中沒有電流流過,即負(fù)載處于斷電狀態(tài);反之,如果控制信號有效的時候,打開開關(guān)管,于是電流從電源正端經(jīng)過負(fù)載,然后經(jīng)過功率開關(guān)流出,負(fù)載進入通電狀態(tài),從而產(chǎn)生響應(yīng)的動作。基本的驅(qū)動原理圖如圖所示。
    MOS管,高端驅(qū)動,低端驅(qū)動,PMOS
    一般現(xiàn)在采用的開關(guān)功率管為N型MOSFET,N型MOSFET的優(yōu)點是驅(qū)動采用電壓驅(qū)動,驅(qū)動電流很小,驅(qū)動功耗低,而且工作頻率可以很高,適用用高速控制,另外MOSFET的導(dǎo)通內(nèi)阻很低,在mΩ級別,可以通過的穩(wěn)定電流很大,因此適用于高功率的驅(qū)動。P型的MOSFET相對于同樣的硅片面積,導(dǎo)通內(nèi)阻較大,故N型適用較多。
    高端驅(qū)動和低端驅(qū)動區(qū)別:
    高端驅(qū)動是指在負(fù)載的供電端進行開關(guān)操作,低端驅(qū)動是指在負(fù)載的接地端進行開關(guān)操作。顯而易見的區(qū)別是,如果是低端驅(qū)動,那么負(fù)載一端會始終接供電。應(yīng)用上有諸多差別,但各有優(yōu)劣,比如,如果你要做電流采樣,那么用高端開關(guān)需要做差分采樣,低端開關(guān)可以一根線共地采樣。另外還有一些安全性的考慮,比如,如果你的驅(qū)動失效會引起安全問題,顯然高端開關(guān)更安全。
    高端驅(qū)動是指相對于負(fù)載工作電壓而言用高電壓控制輸出,而低端驅(qū)動則是指相對于負(fù)載工作電壓而言用低電壓控制輸出。
    淺談MOS管的高端驅(qū)動和低端驅(qū)動
    低端驅(qū)動:MOS管相對于負(fù)載在電勢的低端,其中D通過負(fù)載接電源,S直接接地。對于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時,MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時,S處于一個不能確定的電位。若讓Vgs大于開啟電壓,則DS導(dǎo)通,S確定為地電位,此時仍可以保證Vgs大于開啟電壓,保持DS導(dǎo)通。
    MOS管,高端驅(qū)動,低端驅(qū)動,PMOS
    而對于PMOS,只有到Vgs小于一個值,MOS才能導(dǎo)通。此時S處于一個不確定的電位。若讓Vgs小于開啟電壓,即使導(dǎo)通了,S確定下降到地電位,就不能保證Vgs小于開啟電壓。
    MOS管,高端驅(qū)動,低端驅(qū)動,PMOS
    高端驅(qū)動:MOS管相對于負(fù)載在電勢的高端,其中D直接連接電源,S通過負(fù)載接地。對于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時,MOS管才能導(dǎo)通。所以當(dāng)未導(dǎo)通時,S處于一個不能確定的電位。即使讓Vgs大于開啟電壓,DS導(dǎo)通后,DS電位相等,同為電源電位,除非G極電位比電源電位還高,則不能保持導(dǎo)通狀態(tài)。
    MOS管,高端驅(qū)動,低端驅(qū)動,PMOS
    而對于PMOS,只有到Vgs小于一個值,MOS才能導(dǎo)通。此時S處于一個不確定的電位。若讓Vgs小于開啟電壓,使DS導(dǎo)通,DS同為電源電位,還是能保持Vgs小于開啟電壓,是MOS保持導(dǎo)通狀態(tài)。
    MOS管,高端驅(qū)動,低端驅(qū)動,PMOS
    由上可知,PMOS適合作為高端驅(qū)動,NMOS適合作為低端驅(qū)動。但是由于工藝等各方面的原因。在大電流情況下,通常仍把NMOS作為高端驅(qū)動。于是,為了保證高端驅(qū)動的NMOS的Vgs保持大于開啟電壓。我們會使用半橋驅(qū)動芯片。半橋驅(qū)動芯片把高端驅(qū)動的NMOS的S極作為參考地,輸出一個恒定的開啟電壓,來控制MOS的導(dǎo)通。
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