閂鎖效應 (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件，這種低阻抗路徑可能會由于過大的電流水平而導致系統(tǒng)紊流或災難性損壞。本文介紹閂鎖效應產(chǎn)生的機理，并且介紹了3個電路設計的實用方法, 有效防止閂鎖問題。
如何避免線路中造成Latch-Up?
閂鎖效應 (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件。這種情況將由觸發(fā)事件（電流注入或過電壓）引起，但一旦觸發(fā)，即使觸發(fā)條件不再存在，低阻抗路徑仍然存在。
這種低阻抗路徑可能會由于過大的電流水平而導致系統(tǒng)紊流或災難性損壞。在設計電路應用時，需要確保應用于器件的電壓和電流水平符合絕對最大額定值要求。
在電路設計時, 可以考慮以下建議來防止閂鎖問題。
1. 如果由于上電排序而發(fā)生閂鎖，可以利用二極管與VDD串聯(lián)。
如果任何時候器件的數(shù)字輸入或輸出都超過VDD，可以在VDD串聯(lián)二極管（如下圖使用1N914）來阻止SCR觸發(fā)和隨后的閂鎖產(chǎn)生。這是因為二極管能夠防止寄生橫向PNP晶體管的基極電流從VDD引腳流出，從而防止SCR觸發(fā)。
2. 將肖特基二極管添加到DGND（數(shù)字地）可防止電壓不足
如果器件的數(shù)字輸入和輸出隨時低于DGND，那么從這些輸入或輸出連接到DGND的肖特基二極管將有效地將負偏移鉗位在-0.3V至-0.4V之間。
這可以防止寄生NPN晶體管的發(fā)射極與基極結導通，并且還可以防止SCR觸發(fā)。
3. 在DGND和AGND (模擬地) 之間連接肖特基二極管
如果DGND電位偶爾會超過AGND 0.3V或更多，則可以在器件兩個引腳之間放置肖特基二極管來阻止相關寄生NPN晶體管的導通。
這提供了額外的防止閂鎖的保護。此外，前面提到的反向并聯(lián)連接的額外二極管可以在另一個方向上將DGND限制到AGND，這樣就大大減少了數(shù)字噪聲被注入器件的可能性。
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