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  • MOS管的壓降問題實例解析
    • 發(fā)布時間:2022-09-14 19:14:37
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    MOS管的壓降問題實例解析
    測試開關(guān)mos后電壓下降了1V多,鋰電池4.2V的電壓算是很低的一個電壓,并且是拿這個mos導通之后的電壓作為電壓比較器的輸入電壓,當然參考電壓是升壓再穩(wěn)壓之后,可以不考慮它的變化,按理來說,mos都是m歐級的內(nèi)阻,壓降應(yīng)該不大才對,為什么會有這么大壓降呢?
    電路如下圖所示:
    MOS管 壓降
    查看手冊可知在Vgs=2.5V時,導通時,最大電流Id=2.8A,mos的阻值為110m歐。如下圖所示:2,8A*0.11=0.3V左右的壓降。
    實際的應(yīng)用時,D極是直接拉到了地,所以0V,接近4.5V,壓降為2.8*0.090=0.25V,此時的Id也達到了最大值2.8A.
    MOS管 壓降
    1點幾伏的壓降,顯然是不對的。看后面有個振蕩電路,應(yīng)該是消耗了大量的電流,才造成電壓下降的這么厲害。
    總結(jié)一下:
    在柵極施加不同的電壓,源-漏極之間就會有電阻的變化。同時,如果要使MOS管作在開關(guān)狀態(tài),就要對柵極施加足夠的電壓,它才能充分起到開關(guān)作用。
    擴展:mos的其他特性:
    場效應(yīng)管分為增強型(常開型)和耗盡型(常閉型),增強型的管子是需要加電壓才能導通的,而耗盡型管子本來就處于導通狀態(tài),加柵源電壓是為了使其截止。
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