直流供電產品在系統高可靠性要求下防反接保護是重要保護之一，二極管的單向導通特性使二極管作為了應用首選，通常選用快恢復二極管，電流稍大的可選壓降較小的肖特基二極管，達到相同電流級的肖特基二極管成本相對偏高。快恢復二極管壓降約0.7V，肖特基二極管管壓降約為0.3V，以10A電流為例快恢復二極管消耗功率為7W，肖特基二極管消耗功率為3W，通常就需要考慮散熱問題，如果在5V電壓供電系統中壓降的產生會使系統的效率分別降低14%和6%。
為解決此問題MOS管型防反接保護電路被工程技術人員開發(fā)利用，利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，通常可達到臺歐級別，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。還以10A電流為例，MOS管內阻選10mQ，器件的管壓降為0.1V，消耗功率為1W。如果內阻更小管壓隆及消耗的功率也變得更小，在低壓大電流系統中MOS管型防反接具有絕對的優(yōu)勢
保護用場效應管為PMOS場效應管或NMOS場效應管，
NMOS場效應管防反保護如下圖所示:
NMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
PMOS場效應管防反保護如下圖所示：
PMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VSG間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VSG電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
由于場效應管的加工工藝導致NMOS管的導通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。
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