米勒電容：在柵極（G）和漏極（D）之間的一個(gè)寄生電容。
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，米勒電容的存在，會(huì)使MOS管的Vds產(chǎn)生一個(gè)電壓從接近0（飽和壓降）到母線的變化過程，這個(gè)電壓變化率就是“dv/dt”，然而電容就是電壓變化發(fā)生作用的器件，電壓在電容兩端變化，即產(chǎn)生電流“i”。
GS之間有一層絕緣體，也就是二氧化硅（SiO2），因此G-S之間就是高阻抗（幾十到幾百兆不等），一旦驅(qū)動(dòng)異常，它可能會(huì)通過米勒電容的電流給G-S充電，小電流高阻抗可能對應(yīng)著高電壓，柵極電壓被充電，當(dāng)超過門檻電壓“Vgs(th)”，就會(huì)導(dǎo)致MOSFET重新開通，這是十分危險(xiǎn)的情況。
可以看這個(gè)反激電源拓?fù)涞腗OSFET驅(qū)動(dòng)，它就是米勒電容電流通過驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部下拉低阻回路進(jìn)行釋放，避免柵極被充高而誤導(dǎo)通。
在這里我們就知道了，驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部已經(jīng)存在泄放下拉電阻，但如果驅(qū)動(dòng)電阻Rg在以外情況下開路或者沒有連接，那么下拉電阻（R8）就可以給米勒電容提供泄放路徑，讓MOS管G-S之間保持低阻抗，穩(wěn)定安全狀態(tài)。這就是下拉電阻的重要作用了。
下拉電阻還有另一個(gè)作用：預(yù)保護(hù)電阻
我們知道MOS管G-S是高阻抗，這也是為什么它是 ESD敏感器件的原因。它的高電壓施加在門極不易泄放，累積過程會(huì)損壞G-S極之間那層二氧化硅，導(dǎo)致器件失效。
因此，下拉電阻還兼顧了功耗和實(shí)際泄放效果。一般這個(gè)電阻選值在中小功率電源中（0~500W）選擇大概10K-20K，大功率電源選擇4.7K~10K。
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