10G10,10G10場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),N+P場(chǎng)效應(yīng)管10G10,10G10代換
10G10場(chǎng)效應(yīng)管,N+PMOS管10G10參數(shù)資料,10G10引腳圖,10G10中文資料規(guī)格書PDF
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10G10/SOP-8/SOIC-8封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
10G10場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：10A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：2.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=10V： Typ 70mΩ Max 90mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=3A,VGS=4.5V：Typ 75mΩ Max 105mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-5A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：2.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-3A,VGS=-10V： Typ 180mΩ Max 220mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-2A,VGS=-4.5V：Typ 210mΩ Max 255mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
10G10場(chǎng)效應(yīng)管SOP-8/SOIC-8封裝尺寸：
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